drv8412.pdf
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特性
- 带有低R DS（on） MOSFET 的高效功率级（高达97％）（T J = 25°C时为110mΩ ）
- 工作电源电压高达52 V
- DRV8412（降低功率垫）：在双全桥模式下高达2×3A连续输出电流（2×6-A峰值），在并行模式下高达6A连续电流（12-A峰值）
- DRV8432（电源垫升压）：在双全桥模式下高达2×7A的连续输出电流（峰值2×12A）或在并行模式下高达14A的连续电流（峰值24A）
- PWM工作频率高达500 kHz
- 集成的自保护电路，包括欠压，过热，过载和短路
- 可编程逐周期电流限制保护
- 每个半桥的独立电源和接地引脚
- 智能栅极驱动和交叉传导预防
- 无需外部缓冲或肖特基二极管
描述
DRV841x2是具有高级保护系统的高性能，集成双路全桥电动机驱动器。 由于H桥MOSFET的R DS（on）低以及智能栅极驱动器设计，这些电机驱动器的效率可以高达97％。这种高效率使得可以使用更小的电源和散热器，并且该器件是节能应用的良好选择。 DRV841x2需要两个电源，一个为GVDD和VDD提供12 V电源，另一个为PVDD高达50 V电源。DRV841x2可以在高达500kHz的开关频率下工作，同时仍保持精确的控制和高效率。该设备还具有创新的保护系统，可保护设备免受可能损坏系统的各种故障情况的影响。这些保护措施包括短路保护，过流保护，欠压保护和两阶段热保护。DRV841x2具有一个限流电路，可防止在负载瞬变（例如电动机启动）期间关闭设备。可编程的过电流检测器允许可调的电流极限和保护水平，以满足不同的电机要求。 DRV841x2每个半桥都有独特的独立电源和接地引脚。这些引脚可以通过外部分流电阻器提供电流测量，并支持具有不同电源电压要求的多台电动机。
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发表于 2020-7-13 03:32:27